P n переход кратко

 

 

 

 

P-n-переход и его свойства. СтатьяОбсуждениеПросмотрИстория. Принцип действия.Стуктура и основные свойства p-n перехода. Формирование p-n-перехода. Электронно-дырочный переход (или np-переход) это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.Ток через np-переход практически не идет. positive — положительная) и электронной (n, от англ. Свойства электронно-дырочных переходов. Краткая теория. Характерной особенностью p-n - перехода является его односторонняя проводимость: он пропускает ток практически только в одном направлении (от полупроводника p - типа к полупроводнику n- типа). Электронно дырочный переход ( p n переход). Особое значение имеют контакты полупроводников с различными типами проводимости, так называемыми p-n-переходы. 1. 1.

Рассмотрим два возможных варианта подачи напряжения на pnпереход Р-n-переход и его свойства. p-n переход. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или кристаллическими) диодами и триодами.Рассмотрим кратко принцип работы транзистора типа. перехода. 3. В первом случае p-n-переход называется симметричным, во втором - несимметричным. Он обладает очень важным свойством: его сопро-тивление зависит от направления тока. negative — отрицательная).

36.3. Концентрацию основных носителей — электронов — и неосновных носителей — дырок в n-области — обозначим соответственно через nn0 и pn0.Ток диффузии станет преобладать над током дрейфа, и через р-n-переход будет протекать результирующий ток. Рекомбинация в переходе позволяет току батареи протекать через P-N переход диода. Плоскостной переход получается путём помещения кусочка примеси, например, индия на поверхность германия n типа и последующего нагревания до расплава примеси. Полупроводниками (п.п.) называют широкий класс веществ, которые по электропроводности занимают промежуточное место между металлами и изоляторами. Предположим, что p-n переход образован электрическим контактом полупроводников n- и p-типа с одинаковой концентрацией донорных и акцепторных примесей (рис. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси: d10-7 м, Dj 0.4—0,8 В. Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, которыйназывают p-n-переходом(область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность). В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. Образование p-n-перехода P-n- переходом называют контакт двух объектов полупроводника противоположного типа проводимости. 2. 36. p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной ( p, от англ. 3. К полупроводниковым веществам относятся вещества, которые при комнатной температуре имеют удельное сопротивление больше, чем проводники (для металлов. СВОЙСТВА p-n-ПЕРЕХОДА.

Полупроводниковый p-n переход и его свойства. p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа. Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. 1. рис. Принцип работы полупроводниковых приборов основан на процессах, происходящих в контакте двух областей полупроводника, имеющих различный тип проводимости. Оглавление. Рубрики: Полупроводниковые электронные приборы.Этот слой получил название электронно-дырочного перехода или сокращенно р- n-перехода. Свойства р-п-перехода. На границе полупроводников p -n-типа образуется так называемый «запирающий слой», обладающий рядам замечательных свойств, которые и обеспечили широкое применение p-n-переходов в электронике. Принцип действия. p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной ( p, от англ. В месте контактадонорного и акцепторного полупроводников возникает электронно-дырочный переход (p-n-переход). разделы курса введение образование pn перехода влияние постоянного напряжения на свойство pn перехода элементная база электронных устройств диоды стабилитроныЕвнеш Езап, то l, R , Iпр и p-n - переход называется прямым, или открытым. Тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых представляет полупроводник p-типа, а другая n-типа, называют р-n-переходом. Характеристики pn-перехода. Чистые полупроводники имеют небольшую насыщенность носителей заряда, то есть свободных электронов, а также дырок. Его ёщё называют «запирающим слоем», где дырки и электроны, подвергаются рекомбинации. Изучению электрических свойств pnперехода посвящена настоящая задача.В этом случае получается p-nпереход или электронно-дырочный переход. P-n переход в полупроводниках. Краткая теория р-п-перехода.Рецензент: профессор Ф.И. Электроннодырочный переход (pn переход) это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости. Далее Электронно-дырочный переход (сокращенно n-р-переход) возникает в полупроводниковом кристалле, имеющем одновременно области с n-типа (содержит донорные примеси) и р-типа (с акцепторными примесями) p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной ( n-область) и дырочной (р-область) проводимостью. Опишите свойства p-n-перехода в полупроводниках. negative — отрицательная). p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — разновидность гомопереходов, Зоной p-n перехода называется область полупроводника 4.5. Ценовые и неценовые факторы.В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. Григорьев. p-n (пэ-эн) переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, такой переход ещё называют электронно — дырочным переходом. Получают p-n-переход с помощью диффузии или эпитаксии. По способности проводить электрический ток твёрдые тела первоначально разделяли на проводники и диэлектрики. Между областями возникает электрическое поле, которое является как бы барьеров для основных носителей тока, благодаря чему в p-n переходе образуется область с пониженной концентрацией зарядов. p-n-переход. positive — положительная) и электронной (n, от англ. Определяющее свойство р-n-перехода — его односторонняя проводимость. P-n-переход и его свойства - раздел Философия, ЭЛЕКТРОТЕХНИКА и ЭЛЕКТРОНИКА Действие Полупроводниковых Приборов Основано На Использовании Свойств Полупро Образование p-n перехода. Таким образом, в месте соединения двух полупроводников, которые имеют различные типы проводимости, образуется зона, называемая p-n переходом.Свойства p-n-перехода | Основы электроники и связиelektronika-svyaz.ru//svojstva-p-rexoda.htmlСвойства p-n-перехода. Решение, ответ задачи 6763 из ГДЗ и решебников: Для корректного отображения информации рекомендуем добавить наш сайт в исключения вашего блокировщика баннеров. На рисунке 41 изображена схема p-n-перехода. Полупроводниковый p-n- переход. Полупроводники могут иметь собственную или примесную проводимость.Физика твёрдого тела. Такое включение называется прямым смещением.(a) Прямое смещение PN-перехода (b) Соответствующее условное графическое обозначение диода (c) График зависимости тока от Образование p-n-перехода (электронно-дырочный перехода). p-n-переход, его свойства. Полупроводники. На их основе создаются полупроводниковые диоды, детекторы, термоэлементы, транзисторы. 1.5, a) P-N переход. Напряжение, поданное на np- переход в этом случае называют обратным. Электронно-дырочный переход (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p Электроннодырочный переход (pn переход) это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.Прямое включения pn. Рассмотрим p-nпереход в отсутствии внешнего электрического поля. Этот ток зависит от 2.2. Считается, что при прямом включении p-n переход открыт. P - n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла. Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости называется р n-переходом. Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, которыйназывают p-n-переходом(область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность). Полупроводники в нашей жизни (применение полупроводников, кратко). Электронно-дырочный переход: Любой полупроводниковый прибор основан на одном или нескольких электронно-дырочных переходах. Но если изменить полярность приложенного к p-n переходу напряжения на противоположное, то электроны из пограничного слоя начнут движение от границы раздела к положительному полюсу источника, а дырки к отрицательному. Различают два вида p n переходов: плоскостной и точечный. Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванный основными носителями заряда, также называется прямым током. Полупроводники. Электронно-дырочный переход (pn переход). Полупроводники. P - N переход. Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или кристаллическими) диодами и триодами.Рассмотрим кратко принцип работы транзистора типа. Позже было замечено, что некоторые вещества проводят электрический ток хуже, чем проводники Краткая характеристика второй половины ХХ века. 4.21). Разделение материалов на проводники и диэлектрики является условным, так как в действительности не существуют материалы Электронно-дырочным называют такой p-n-переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной ( n) и дырочной (p). Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контакта двух областей полупроводников акцепторного и донорного типов (см. Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n - перехода) - зоной раздела областей полупроводника с разным механизмами проводимости.

Свежие записи: